Número de Producto del Fabricante:
SIRC16DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIRC16DP-T1-RE3-DG
Descripción:
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 57A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 54.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
5880 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977899
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ENVIAR
SIRC16DP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
57A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.96mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5150 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 54.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIRC16DP-T1-RE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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