Número de Producto del Fabricante:
SIS429DNT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIS429DNT-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 20A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
12916794
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ENVIAR
SIS429DNT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
27.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SIS429
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RF4E070GNTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2425
NÚMERO DE PIEZA
RF4E070GNTR-DG
PRECIO UNITARIO
0.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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