SISS60DN-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SISS60DN-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SISS60DN-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Inventario:

5995 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786623
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SISS60DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
85.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3960 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base
SISS60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SISS60DN-T1-GE3
Hoja de datos HTML
SISS60DN-T1-GE3-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3TR
742-SISS60DN-T1-GE3TR
SISS60DN-T1-GE3TR-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR
SISS60DN-T1-GE3CT-DG
SISS60DN-T1-GE3DKR-DG
SISS60DN-T1-GE3CT
742-SISS60DN-T1-GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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