Número de Producto del Fabricante:
SIZ200DT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIZ200DT-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Inventario:
12786127
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ENVIAR
SIZ200DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Potencia - Máx.
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Número de producto base
SIZ200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ200DT-T1-GE3CT
SIZ200DT-T1-GE3TR
SIZ200DT-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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