SIZ730DT-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIZ730DT-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIZ730DT-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6PWRPAIR
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™

Inventario:

12919325
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SIZ730DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A, 35A
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
830pF @ 15V
Potencia - Máx.
27W, 48W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-PowerPair™
Paquete de dispositivos del proveedor
6-PowerPair™
Número de producto base
SIZ730

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ730DT-T1-GE3TR
SIZ730DT-T1-GE3CT
SIZ730DT-T1-GE3DKR
SIZ730DTT1GE3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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