Número de Producto del Fabricante:
SQ2361AEES-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
Inventario:
69168 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786746
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ENVIAR
SQ2361AEES-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
620 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TA)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SQ2361
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQ2361AEES-T1_GE3DKR
SQ2361AEES-T1-GE3
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
SQ2361AEES-T1_GE3TR
SQ2361AEES-T1_GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQ2361AEES-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5051
NÚMERO DE PIEZA
SQ2361AEES-T1_BE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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