Número de Producto del Fabricante:
SQ4153EY-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
560 Pcs Nuevos Originales En Stock
12953891
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ENVIAR
SQ4153EY-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
151 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
7.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SQ4153
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SQ4153EY-T1_GE3DKR
SQ4153EY-T1_GE3TR
SQ4153EY-T1_GE3CT
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQ4153EY-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
474
NÚMERO DE PIEZA
SQ4153EY-T1_BE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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