SQ4435EY-T1_BE3
Número de Producto del Fabricante:

SQ4435EY-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQ4435EY-T1_BE3-DG

Descripción:

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

2500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954853
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQ4435EY-T1_BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2170 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SQ4435

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
742-SQ4435EY-T1_BE3TR
742-SQ4435EY-T1_BE3DKR
742-SQ4435EY-T1_BE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI1330EDL-T1-BE3

MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3

nxp-semiconductors

BUK9230-55A/C1118

N-CHANNEL POWER MOSFET

vishay-siliconix

SI4462DY-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AONS36326

MOSFET N-CH 5X6 DFN