Número de Producto del Fabricante:
SQJ211ELP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQJ211ELP-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 33.6A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
496 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978051
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ENVIAR
SQJ211ELP-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33.6A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SQJ211
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQJ211ELP-T1_GE3CT
742-SQJ211ELP-T1_GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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