SQJ402EP-T1_BE3
Número de Producto del Fabricante:

SQJ402EP-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQJ402EP-T1_BE3-DG

Descripción:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

6949 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977756
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQJ402EP-T1_BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 10.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2286 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQJ402EP-T1_BE3DKR
742-SQJ402EP-T1_BE3TR
742-SQJ402EP-T1_BE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIDR220DP-T1-RE3

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHP35N60E-BE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SQJ420EP-T1_BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHFU310-GE3

MOSFET N-CHANNEL 400V