Número de Producto del Fabricante:
SQJ912AEP-T2_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQJ912AEP-T2_GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventario:
12965404
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ENVIAR
SQJ912AEP-T2_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1835pF @ 20V
Potencia - Máx.
48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base
SQJ912
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQJ912AEP-T2_GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQJ912DEP-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2875
NÚMERO DE PIEZA
SQJ912DEP-T1_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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