Número de Producto del Fabricante:
SQJQ112E-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQJQ112E-T1_GE3-DG
Descripción:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventario:
12965597
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ENVIAR
SQJQ112E-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
296A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
272 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15945 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja
PowerPAK® 8 x 8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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