Número de Producto del Fabricante:
SQM200N04-1M7L_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventario:
12786121
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ENVIAR
SQM200N04-1M7L_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
291 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11168 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
SQM200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
SQM200N04-1M7L_GE3CT
SQM200N04-1M7L_GE3TR
SQM200N04-1M7L_GE3DKR
SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB160N04S4LH1ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1895
NÚMERO DE PIEZA
IPB160N04S4LH1ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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