Número de Producto del Fabricante:
SQP100P06-9M3L_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQP100P06-9M3L_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12786238
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ENVIAR
SQP100P06-9M3L_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12010 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SQP100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SQP100P06-9M3L_GE3CT-DG
SQP100P06-9M3L_GE3CT
SQP100P06-9M3L_GE3DKR-DG
SQP100P06-9M3L_GE3TR
SQP100P06-9M3L_GE3DKR
SQP100P06-9M3L_GE3TR-DG
SQP100P06-9M3L_GE3TRINACTIVE
SQP100P06-9M3L_GE3DKRINACTIVE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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