Número de Producto del Fabricante:
SUB75P03-07-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUB75P03-07-E3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12786899
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ENVIAR
SUB75P03-07-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SUB75
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
SUB75P03-07-E3-DG
SUB75P0307E3
SUB75P03-07-E3CT
SUB75P03-07-E3DKR
SUB75P03-07-E3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SUM110P04-05-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
46039
NÚMERO DE PIEZA
SUM110P04-05-E3-DG
PRECIO UNITARIO
2.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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