Número de Producto del Fabricante:
SUM120N04-1M7L-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUM120N04-1M7L-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12916983
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SUM120N04-1M7L-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
285 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11685 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SUM120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFT26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
SI7425DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
VS-FC420SA15
MOSFET N-CH 150V 400A SOT227
