Número de Producto del Fabricante:
SUP40P10-43-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUP40P10-43-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 36A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12920426
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SUP40P10-43-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
36A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SUP40
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF5210PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
6302
NÚMERO DE PIEZA
IRF5210PBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.00
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SUD23N06-31L-E3
MOSFET N-CH 60V TO252
SQM50P03-07_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
