Número de Producto del Fabricante:
IRFSL31N20DTRL
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFSL31N20DTRL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
13053276
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ENVIAR
IRFSL31N20DTRL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
82mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2370 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IRFSL31
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQI27N25TU
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
600
NÚMERO DE PIEZA
FQI27N25TU-DG
PRECIO UNITARIO
1.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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