Número de Producto del Fabricante:
SI4532CDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4532CDY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
4029 Pcs Nuevos Originales En Stock
13055046
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ENVIAR
SI4532CDY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A, 4.3A
rds activados (máx.) @ id, vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
305pF @ 15V
Potencia - Máx.
2.78W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
SI4532
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4532CDY-T1-GE3DKR
SI4532CDY-T1-GE3CT
SI4532CDY-T1-GE3-ND
SI4532CDYT1GE3
SI4532CDY-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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