Número de Producto del Fabricante:
SI4866BDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI4866BDY-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
13056032
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ENVIAR
SI4866BDY-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5020 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SI4866
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SI4866BDYT1GE3
SI4866BDY-T1-GE3DKR
SI4866BDY-T1-GE3TR
SI4866BDY-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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