SI5936DU-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SI5936DU-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI5936DU-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

Inventario:

6499 Pcs Nuevos Originales En Stock
13060395
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SI5936DU-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
320pF @ 15V
Potencia - Máx.
10.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® ChipFet Dual
Número de producto base
SI5936

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI5936DU-T1-GE3DKR
SI5936DU-T1-GE3CT
SI5936DU-T1-GE3TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay

SI1900DL-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 0.63A SC70-6

vishay

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR

vishay

SI4511DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC

vishay

SI5933CDC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8