Número de Producto del Fabricante:
SI7190ADP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7190ADP-T1-RE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
5855 Pcs Nuevos Originales En Stock
13060415
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI7190ADP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
ThunderFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
102mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
860 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7190ADP-T1-RE3CT
2266-SI7190ADP-T1-RE3TR
SI7190ADP-T1-RE3TR
SI7190ADP-T1-RE3DKR
SI7190ADP-RE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI3812DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
