SQJQ404E-T1_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQJQ404E-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQJQ404E-T1_GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventario:

13062967
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQJQ404E-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.72mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16480 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja
PowerPAK® 8 x 8
Número de producto base
SQJQ404

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SQJQ404E-T1_GE3DKR
SQJQ404E-T1_GE3TR
SQJQ404E-T1_GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay

SIHB28N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

vishay

SIHH21N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8

vishay

SIHB30N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO263

vishay

SIHB24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK