XP60AN750IN
Número de Producto del Fabricante:

XP60AN750IN

Product Overview

Fabricante:

YAGEO XSEMI

Número de pieza:

XP60AN750IN-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 1.92W (Ta), 36.7W (Tc) Through Hole TO-220CFM

Inventario:

1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001984
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XP60AN750IN Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
XP60AN750
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2688 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220CFM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
XP60

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
5048-XP60AN750IN

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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