Número de Producto del Fabricante:
XP83T03GJB
Product Overview
Fabricante:
YAGEO XSEMI
Número de pieza:
XP83T03GJB-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251S
Inventario:
1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001045
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ENVIAR
XP83T03GJB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
XP83T03
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1840 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251S
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
XP83
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
80
Otros nombres
5048-XP83T03GJB
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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