Número de Producto del Fabricante:
AOI1N60L
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOI1N60L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventario:
12848312
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ENVIAR
AOI1N60L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251A
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
AOI1
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Otros nombres
AOI1N60L-DG
785-1536-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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