AOWF095A60
Número de Producto del Fabricante:

AOWF095A60

Product Overview

Fabricante:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza:

AOWF095A60-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 38A TO262F
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 38A (Tj) 34.5W (Tc) Through Hole TO-262F

Inventario:

12938527
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AOWF095A60 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
aMOS5™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
95mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4010 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
34.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262F
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
AOWF095

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
5202-AOWF095A60
785-AOWF095A60

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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