DMT8008SCT

Número de Producto del Fabricante:

DMT8008SCT

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT8008SCT-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

Descripción Detallada:

N-Channel 80 V 111A (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

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12979119

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DMT8008SCT Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

80 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

111A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

34 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1950 pF @ 40 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.4W (Ta), 167W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220-3

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

DMT8008

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Otros nombres

31-DMT8008SCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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