Número de Producto del Fabricante:
FDMS7570S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDMS7570S-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 28A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
17297 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946408
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDMS7570S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.95mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4515 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
558
Otros nombres
2156-FDMS7570S
FAIFSCFDMS7570S
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
FQPF9N50CF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FDP8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IRLU3636PBF
IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
