Número de Producto del Fabricante:
FQI8N60CTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQI8N60CTU-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventario:
6985 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946703
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ENVIAR
FQI8N60CTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1255 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
FQI8N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
254
Otros nombres
2156-FQI8N60CTU
ONSONSFQI8N60CTU
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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