Número de Producto del Fabricante:
G130N06M
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G130N06M-DG
Descripción:
N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
780 Pcs Nuevos Originales En Stock
13309548
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ENVIAR
G130N06M Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2867 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
G130N06M
FABRICANTE
Goford Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
780
NÚMERO DE PIEZA
G130N06M-DG
PRECIO UNITARIO
0.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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