Número de Producto del Fabricante:
G220P02D2
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G220P02D2-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
Descripción Detallada:
P-Channel 8A (Tc) 3.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventario:
9000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12993029
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ENVIAR
G220P02D2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-DFN (2x2)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
4822-G220P02D2TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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