Número de Producto del Fabricante:
G28N03D3
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G28N03D3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Descripción Detallada:
N-Channel 28A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventario:
10000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001012
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
G28N03D3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFN (3.15x3.05)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
4822-G28N03D3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDMT800120DC-22897
FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
TSM80N950CP
800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
