Número de Producto del Fabricante:
G60N10K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G60N10K-DG
Descripción:
N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Descripción Detallada:
N-Channel 90 V 60A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
2500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997609
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ENVIAR
G60N10K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
90 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4118 pF @ 50 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-G60N10KTR
3141-G60N10KDKR
3141-G60N10KTR
3141-G60N10KCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
