Número de Producto del Fabricante:
GT110N06S
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT110N06S-DG
Descripción:
N60V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<1
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
5028 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974570
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ENVIAR
GT110N06S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
3141-GT110N06SDKR
3141-GT110N06SCT
3141-GT110N06STR
4822-GT110N06STR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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