Número de Producto del Fabricante:
IRF630
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
Número de pieza:
IRF630-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
11535 Pcs Nuevos Originales En Stock
13077231
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ENVIAR
IRF630 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
353
Otros nombres
2156-IRF630-HC
HARHARIRF630
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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