Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Mexico
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Mexico
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IPB60R190C6ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB60R190C6ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
1265 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800409
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPB60R190C6ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C6
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 630µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB60R190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPB60R190C6ATMA1
Hoja de datos HTML
IPB60R190C6ATMA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB60R190C6ATMA1DKR
IPB60R190C6INTR-DG
INFINFIPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1TR
IPB60R190C6
2156-IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6INCT
SP000641916
IPB60R190C6INDKR
IPB60R190C6INDKR-DG
IPB60R190C6INCT-DG
IPB60R190C6INTR
IPB60R190C6ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCB20N60FTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2398
NÚMERO DE PIEZA
FCB20N60FTM-DG
PRECIO UNITARIO
2.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK20G60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TK20G60W,RVQ-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB20N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
845
NÚMERO DE PIEZA
STB20N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
1.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SIHB18N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHB18N60E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB21N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1748
NÚMERO DE PIEZA
STB21N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
2.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
IPC60N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23