IPB65R125C7ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPB65R125C7ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPB65R125C7ATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventario:

12800942
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPB65R125C7ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ C7
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 440µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
101W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB65R

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
2156-IPB65R125C7ATMA1
SP001080134
INFINFIPB65R125C7ATMA1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
STB37N60DM2AG
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STB37N60DM2AG-DG
PRECIO UNITARIO
3.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB65R125C7ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
998
NÚMERO DE PIEZA
IPB65R125C7ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
2.13
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
IPB60R080P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R080P7ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
STB33N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STB33N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
2.00
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IGT60R070D1ATMA1

GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF

infineon-technologies

IPB039N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

infineon-technologies

IPD35N12S3L24ATMA1

MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3