Número de Producto del Fabricante:
IPD088N06N3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD088N06N3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311
Inventario:
12966854
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPD088N06N3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 34µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3900 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-311
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD088N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
448-IPD088N06N3GATMA1TR
SP005559926
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD220N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
IPD079N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
