Número de Producto del Fabricante:
IPD30N10S3L34ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD30N10S3L34ATMA2-DG
Descripción:
MOSFET_(75V 120V(
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
13269117
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ENVIAR
IPD30N10S3L34ATMA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
31mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 29µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1976 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP005549680
448-IPD30N10S3L34ATMA2TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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