Número de Producto del Fabricante:
IPD50R950CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD50R950CEATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12803305
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ENVIAR
IPD50R950CEATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
13V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
231 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
53W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD50R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD50R950CEATMA1-DG
SP001117712
IPD50R950CEATMA1CT
IPD50R950CEATMA1DKR
IPD50R950CEATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD50R950CEAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4115
NÚMERO DE PIEZA
IPD50R950CEAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
SPD04N50C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7723
NÚMERO DE PIEZA
SPD04N50C3ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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