Número de Producto del Fabricante:
IPI04N03LA
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI04N03LA-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 80A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12800874
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPI04N03LA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3877 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI04N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI04N03LAIN
SP000014355
IPI04N03LAX
IPI04N03LAX-DG
2156-IPI04N03LA-IT
IFEINFIPI04N03LA
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD60R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
IPD06P002NATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
IPP030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
