Número de Producto del Fabricante:
IPP50R299CPHKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP50R299CPHKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12801212
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ENVIAR
IPP50R299CPHKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
550 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 440µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1190 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP50R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP000236070
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP12N50M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
850
NÚMERO DE PIEZA
STP12N50M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXFP20N50P3M
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
57
NÚMERO DE PIEZA
IXFP20N50P3M-DG
PRECIO UNITARIO
2.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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