Número de Producto del Fabricante:
IRF6644TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6644TR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventario:
12807385
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6644TR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2210 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MN
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF6644TR1PBFDKR
IRF6644TR1PBFTR
IRF6644TR1PBFCT
SP001561794
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF6644TRPBF
FABRICANTE
International Rectifier
CANTIDAD DISPONIBLE
602356
NÚMERO DE PIEZA
IRF6644TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFB3077GPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IRLU3636-701TRP
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
