Número de Producto del Fabricante:

IRF7842TR

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF7842TR-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 18A 8SO

Descripción Detallada:

N-Channel 40 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventario:

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12806050

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IRF7842TR Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

40 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

18A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

5mOhm @ 17A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.25V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

50 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4500 pF @ 20 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SO

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

4,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

IRF7842TRPBF

FABRICANTE

Infineon Technologies

CANTIDAD DISPONIBLE

13970

NÚMERO DE PIEZA

IRF7842TRPBF-DG

PRECIO UNITARIO

0.68

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

NÚMERO DE PARTE

SI4456DY-T1-E3

FABRICANTE

Vishay Siliconix

CANTIDAD DISPONIBLE

2500

NÚMERO DE PIEZA

SI4456DY-T1-E3-DG

PRECIO UNITARIO

1.02

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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