Número de Producto del Fabricante:
IRFH5301TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5301TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Inventario:
11392 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804705
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ENVIAR
IRFH5301TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.85mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5114 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PQFN (5x6) Single Die
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
IRFH5301
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001556462
IRFH5301TRPBFDKR
IRFH5301TRPBFCT
IRFH5301TRPBFTR
IRFH5301TRPBF-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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