Número de Producto del Fabricante:
IRFSL4020PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFSL4020PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12805093
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ENVIAR
IRFSL4020PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001565208
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF640NLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
794
NÚMERO DE PIEZA
IRF640NLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.90
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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