Número de Producto del Fabricante:
SPD04P10PGBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPD04P10PGBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 4A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
22468 Pcs Nuevos Originales En Stock
12808557
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ENVIAR
SPD04P10PGBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 380µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
319 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SPD04P10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP000212230
2156-SPD04P10PGBTMA1
IFEINFSPD04P10PGBTMA1
SPD04P10P G
448-SPD04P10PGBTMA1DKR
SPD04P10P G-DG
SPD04P10PGBTMA1TR
SPD04P10PGBTMA1TR-DG
448-SPD04P10PGBTMA1TR
448-SPD04P10PGBTMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPD04P10PLGBTMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SPD04P10PLGBTMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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