Número de Producto del Fabricante:
SPD04P10PLGBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPD04P10PLGBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 4.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12808059
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ENVIAR
SPD04P10PLGBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 380µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
372 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SPD04P10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SPD04P10PL G-DG
SPD04P10PL GTR
SPD04P10PL GDKR-DG
SPD04P10PL GCT
SPD04P10PL G
SPD04P10PLGBTMA1TR
SPD04P10PL GDKR
SP000212231
SPD04P10PL GTR-DG
SPD04P10PLGBTMA1DKR
SPD04P10PL GCT-DG
SPD04P10PLGBTMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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