Número de Producto del Fabricante:
IXFH22N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH22N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
12821361
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ENVIAR
IXFH22N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 1.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2310 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
390W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH22
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SCT3120ALGC11
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
6940
NÚMERO DE PIEZA
SCT3120ALGC11-DG
PRECIO UNITARIO
4.30
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CANTIDAD DISPONIBLE
96
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PRECIO UNITARIO
1.56
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
1.88
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1.39
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PRECIO UNITARIO
2.22
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